| 发明名称 | 掺杂有机半导体的方法和掺杂组合物 | ||
| 摘要 | 本发明涉及掺杂有机半导体的方法和掺杂组合物。一种形成n型掺杂的半导体层的方法，其中用光辐照包含有机半导体和n型掺杂剂试剂的膜，所述光的波长在该有机半导体的吸收范围内，并且其中该n型掺杂剂试剂的最大吸收波长短于所述光的任何峰值波长。该n型掺杂的半导体层可以是有机发光器件的电子注入层。 | ||
| 申请公布号 | CN106409665A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610616266.8 | 申请日期 | 2016.07.29 |
| 申请人 | 剑桥显示技术有限公司;住友化学株式会社 | 发明人 | 托马斯·库格勒;希纳·祖贝里 |
| 分类号 | H01L21/26(2006.01)I;H01L21/263(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王海宁 |
| 主权项 | 一种形成n型掺杂的半导体层的方法，其中用光辐照包含有机半导体和n型掺杂剂试剂的膜，所述光的波长在所述有机半导体的吸收范围内，并且其中所述n型掺杂剂试剂的最大吸收波长短于所述光的任何峰值波长。 | ||
| 地址 | 英国剑桥 | ||