发明名称 |
电平转换电路 |
摘要 |
本发明提供一种电平转换电路,其包括反相器和电平转换单元,所述电平转换单元包括NMOS晶体管MN1、MN1A,PMOS晶体管MP1、MP2。所述电平转换单元还包括第一切换驱动管和第二切换驱动管。第一切换驱动管的输入端与NMOS晶体管MN1的栅极相连,其输出端与PMOS晶体管MP1的栅极相连,在其输入端由低电平转换为高电平时,向其输出端输出电流以快速提升其输出端的电压。第二切换驱动管的输入端与NMOS晶体管MN1A的栅极相连,其输出端与PMOS晶体管MP1A的栅极相连,在其输入端由低电平转换为高电平时,向其输出端输出电流以快速提升其输出端的电压。这样,提高了PMOS晶体管MP1和MP1A的翻转速度,加快了电路的响应时间,提高了工作频率。 |
申请公布号 |
CN104124957B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410399976.0 |
申请日期 |
2014.08.14 |
申请人 |
灿芯半导体(上海)有限公司 |
发明人 |
彭进忠;戴颉;庄志青;职春星 |
分类号 |
H03K19/0175(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/0175(2006.01)I |
代理机构 |
无锡互维知识产权代理有限公司 32236 |
代理人 |
庞聪雅;戴薇 |
主权项 |
一种电平转换电路,其包括反相器和电平转换单元,所述反相器由第二电源供电,其输入端与电平转换电路的输入端相连,所述电平转换单元包括NMOS晶体管MN1、MN1A,PMOS晶体管MP1、MP1A,其中,NMOS晶体管MN1的漏极与PMOS晶体管MP1的漏极相连,其栅极与所述反相器的输出端相连,其源极与地节点相连;NMOS晶体管MN1A的漏极与PMOS晶体管MP1A的漏极相连,其栅极与所述反相器的输入端相连,其源极与地节点相连;PMOS晶体管MP1的源极与第一电源相连,其栅极与NMOS晶体管MN1A的漏极相连;PMOS晶体管MP1A的源极与第一电源相连,其栅极与NMOS晶体管MN1的漏极相连;NMOS晶体管MN1的漏极作为电平转换单元的正相信号输出端,其特征在于,所述电平转换单元还包括:第一切换驱动管,其输入端与NMOS晶体管MN1的栅极相连,其输出端与PMOS晶体管MP1的栅极相连,第一切换驱动管在其输入端由低电平转换为高电平时,向其输出端输出电流以快速提升其输出端的电压;第二切换驱动管,其输入端与NMOS晶体管MN1A的栅极相连,其输出端与PMOS晶体管MP1A的栅极相连,第二切换驱动管在其输入端由低电平转换为高电平时,向其输出端输出电流以快速提升其输出端的电压,第二电源的电压低于第一电源的电压。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区金蝶软件园晨晖路88号1幢409室 |