发明名称 MEMORY ARRAY PLANE SELECT
摘要 메모리 어레이들 및 그것을 형성하는 방법들이 제공된다. 예시적인 메모리 어레이는 매트릭스로 배열되는 복수의 메모리 셀들 및 복수의 플레인 선택 디바이스들을 가지는 적어도 하나의 플레인을 포함할 수 있다. 복수의 메모리 셀들의 그룹들은 복수의 플레인 선택 디바이스들 중 개개의 디바이스에 통신가능하게 결합된다. 요소들을 가지는 디코딩 로직은 기판 물질로 형성되고 복수의 플레인 선택 디바이스들에 통신가능하게 결합된다. 복수의 메모리 셀들 및 복수의 플레인 선택 디바이스들은 기판 물질로 형성되지 않는다.
申请公布号 KR20170018096(A) 申请公布日期 2017.02.15
申请号 KR20177003114 申请日期 2013.08.29
申请人 마이크론 테크놀로지, 인크 发明人 이, 종원;스파디니, 지안파올로
分类号 G11C8/10 主分类号 G11C8/10
代理机构 代理人
主权项
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