| 发明名称 | 一种一维硫化锑‑碳复合材料、其制备方法和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种一维硫化锑‑碳纳米线复合材料及其制备方法，本发明制备得到的一维Sb<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/C纳米线复合材料，结构均一、硫化锑粒子规则统一且均匀分布在碳纳米线内部和表面，制备方法具有原料简单易得、价格低廉、合成方法简单、环境友好的优点；该材料用作锂离子电池负极材料时，循环稳定性好、比容量高、能有效抑制循环过程中合金化的体积膨胀，用于锂离子电池负极材料时，在100mA g<sup>‑1</sup>、150圈循环之后具有高达551mAh g<sup>‑1</sup>的容量。 | ||
| 申请公布号 | CN106410152A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610964572.0 | 申请日期 | 2016.11.04 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 朱明强;张唯;余翔翔;喻能 |
| 分类号 | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/583(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M10/054(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | H01M4/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 许恒恒 |
| 主权项 | 一种一维硫化锑‑碳纳米线复合材料，其特征在于，所述复合材料的化学式组成为Sb<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/C,其中硫化锑粒子分布在碳纳米线内部和表面，其硫化锑的质量百分数为33～41％，余量为C。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||