| 发明名称 | 具有内场板结构与P型栅结合的耐压漂移区的半导体器件 | ||
| 摘要 | 具有内场板结构与P型栅相结合的耐压漂移区的半导体器件涉及半导体器件领域，解决了现有技术中半导体器件耐压低，工艺复杂和制作设备昂贵的问题，该半导体器件的耐压漂移区从下至上包括：高掺杂浓度的低阻衬底层N++，低掺杂浓度的高阻层N‑，和较高掺杂浓度的低阻层N；在低阻层N上进行硅刻蚀形成沟槽或孔，沟槽或深度为到达或接近低掺杂浓度的高阻层N‑，在沟槽或孔内制作P栅和绝缘层；在绝缘层内制作电极。本发明结构及工艺简单，制造成本低。在内场板结构的沟槽或孔的底形成P型栅，结合内场板结构，实现器件的高耐压，降低了通态电阻或压降。以600V的VDMOSFET器件为例，采用该耐压漂移区，在同等芯片面积下，通态电阻可以降低20％以上。 | ||
| 申请公布号 | CN106409911A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610796375.2 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 吉林华微电子股份有限公司 | 发明人 | 左义忠;张海宇;邢文超;于博伟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 陶尊新 |
| 主权项 | 具有内场板结构与P型栅结合的耐压漂移区的半导体器件，其特征在于，该半导体器件的耐压漂移区从下至上包括：高掺杂浓度的低阻衬底层N++，低掺杂浓度的高阻层N‑，和较高掺杂浓度的低阻层N；在低阻层N上进行硅刻蚀形成沟槽或孔，沟槽或孔深度为2μm－10μm；并到达低掺杂浓度的高阻层N‑，在沟槽或孔内制作绝缘层，在沟槽或孔底部制作P栅；在绝缘层内制作电极。 | ||
| 地址 | 132013 吉林省吉林市深圳街99号 | ||