发明名称 一种检测光刻工艺曝光前晶圆背面水平度的方法及装置
摘要 一种检测半导体晶圆背面水平度的方法即装置,该方法包括设定晶圆背面水平度变化的预定阈值;在对半导体晶圆曝光之前检测晶圆背面水平度的变化,并得到晶圆背面水平度变化值;将所检测的水平度变化与预定阈值进行比较;如果水平度变化值小于预定阈值,对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理,否者,拒绝对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理。与现有技术相比,该方法仅对晶圆背面水平度较好的晶圆进行后续工艺步骤的处理,从而减少了设备资源及材料的浪费,并且还可以在检测到晶圆背面水平度不佳时,对晶圆背面进行清洗工艺,然后,进行再次检测,从而避免晶圆载物台的污染,同时也提高光刻工艺的良品率。
申请公布号 CN106403851A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610783914.9 申请日期 2016.08.31
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 汪武平;毛智彪;杨正凯
分类号 G01B11/30(2006.01)I;G01B21/30(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G01B11/30(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;陈慧弘
主权项 一种检测半导体晶圆背面水平度的方法,包括如下步骤:步骤S1:设定晶圆背面水平度变化的预定阈值;步骤S2:在对半导体晶圆曝光之前检测所述晶圆背面水平度的变化,并得到晶圆背面水平度变化值;步骤S3:将所检测的水平度变化与预定阈值进行比较;如果所述水平度变化值小于预定阈值,执行步骤S4;否者,执行步骤S5;步骤S4:对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理;步骤S5:拒绝对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理,对所述半导体晶圆进行背面再清洗后,继续执行步骤S2。
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