发明名称 |
一种检测光刻工艺曝光前晶圆背面水平度的方法及装置 |
摘要 |
一种检测半导体晶圆背面水平度的方法即装置,该方法包括设定晶圆背面水平度变化的预定阈值;在对半导体晶圆曝光之前检测晶圆背面水平度的变化,并得到晶圆背面水平度变化值;将所检测的水平度变化与预定阈值进行比较;如果水平度变化值小于预定阈值,对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理,否者,拒绝对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理。与现有技术相比,该方法仅对晶圆背面水平度较好的晶圆进行后续工艺步骤的处理,从而减少了设备资源及材料的浪费,并且还可以在检测到晶圆背面水平度不佳时,对晶圆背面进行清洗工艺,然后,进行再次检测,从而避免晶圆载物台的污染,同时也提高光刻工艺的良品率。 |
申请公布号 |
CN106403851A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201610783914.9 |
申请日期 |
2016.08.31 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
汪武平;毛智彪;杨正凯 |
分类号 |
G01B11/30(2006.01)I;G01B21/30(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
G01B11/30(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陈慧弘 |
主权项 |
一种检测半导体晶圆背面水平度的方法,包括如下步骤:步骤S1:设定晶圆背面水平度变化的预定阈值;步骤S2:在对半导体晶圆曝光之前检测所述晶圆背面水平度的变化,并得到晶圆背面水平度变化值;步骤S3:将所检测的水平度变化与预定阈值进行比较;如果所述水平度变化值小于预定阈值,执行步骤S4;否者,执行步骤S5;步骤S4:对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理;步骤S5:拒绝对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理,对所述半导体晶圆进行背面再清洗后,继续执行步骤S2。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |