半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件。提高了半导体器件的性能。发射极电极通过形成在层间绝缘膜上的接触凹槽耦合到线性有源单元区的P型本体区和N⁺型发射极区并且通过接触凹槽耦合到线状空穴集电极单元区的P型本体区。在平面图上，布置在线状空穴集电极单元区中的接触凹槽比接触凹槽短。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面；第一电极，所述第一电极形成在所述第二主表面上方；第一半导体区，所述第一半导体区形成为具有第一导电类型、接触所述第一电极，且靠近所述半导体衬底的所述第二主表面；第二半导体区，所述第二半导体区形成为具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，且在所述第一半导体区上方；第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极从所述第一主表面向所述第二主表面地形成并且在平面图上沿着所述第一主表面的第一方向延伸；第三半导体区，所述第三半导体区被形成为具有所述第一导电类型，且在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；第四半导体区，所述第四半导体区被形成为具有所述第二导电类型，且在所述第三半导体区上方；第三栅电极和第四栅电极，所述第三栅电极和所述第四栅电极从所述第一主表面向所述第二主表面地形成并且在平面图上沿着所述第一方向延伸；第五半导体区，所述第五半导体区被形成为具有所述第一导电类型，且在所述第三栅电极和所述第四栅电极之间，并且沿着所述第一方向延伸；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜覆盖所述第一主表面；以及第二电极，所述第二电极形成在所述层间绝缘膜上方、通过形成在所述层间绝缘膜上方的第一接触凹槽耦合到所述第三半导体区和所述第四半导体区，并且通过形成在所述层间绝缘膜上方的多个第二接触凹槽耦合到所述第五半导体区。