一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构

摘要

本实用新型的主要目的为提供一种含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构，在N型单晶硅片的N面上间隔地排列制造出高浓度的N+结，具有自调制效应，形成良好的软恢复特性；此材料片通过硅氧化方式将N面粘附一片单晶片，在加工过程中不易碎片；此结构的制造成本低于外延片的成本。使用本实用新型的含阴极辅助的快恢复二极管材料片，与传统的外延片加工相比，具有良好的快速、软恢复特性，成本更低。

主权项

含阴极辅助的快恢复二极管材料片结构，其包括：在低掺杂的N‑单晶硅片的下面形成10‑20um厚的N层，在N层内形成4‑6um的N+区，N‑层厚度20‑80um，以及N层下面的单晶片B。