| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、电路结构、电子设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、电路结构、电子设备，所述薄膜晶体管包括相对设置的第一子栅极和第二子栅极，所述第一子栅极包括多个第一放电部，所述第二子栅极包括多个第二放电部，所述第一放电部具有第一放电尖端，所述第二放电部具有第二放电尖端，所述第一放电部与所述第二放电部之间、所述第一放电尖端与所述第二子栅极之间以及所述第二放电尖端与所述第一子栅极之间具有预定距离以形成边缘电场耦合效应和尖端放电效应，从而保证低漏电流和静电发生时能够快速放电，同时避免由于静电过强击穿薄膜晶体管而引起的不良，实现静电保护。 | ||
| 申请公布号 | CN104300009B | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201410602471.X | 申请日期 | 2014.10.31 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 李永谦 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;陈源 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、有源层、源极、和漏极，所述栅极包括相对设置的第一子栅极和第二子栅极，所述第一子栅极包括多个第一放电部，所述第二子栅极包括多个第二放电部，所述第一放电部具有第一放电尖端，所述第二放电部具有第二放电尖端；所述第一放电部与所述第二放电部之间具有第一预定距离，所述第一预定距离用于使得所述第一放电部与所述第二放电部之间形成边缘电场耦合；所述第一放电尖端与所述第二子栅极之间具有第二预定距离，所述第二预定距离用于使得所述第一放电尖端与所述第二子栅极之间形成尖端放电；所述第二放电尖端与所述第一子栅极之间具有第三预定距离，所述第三预定距离用于使得所述第二放电尖端与所述第一子栅极之间形成尖端放电。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||