发明名称 |
半导体器件和封装半导体管芯的方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体器件和封装半导体管芯的方法。半导体器件具有半导体晶片。半导体晶片包括多个半导体管芯。绝缘层形成在半导体管芯的有源表面之上。沟槽形成在半导体管芯之间的半导体晶片的非有源区域中。沟槽部分地延伸通过半导体晶片。提供具有粘合层的载体。同时作为单个单元而将半导体管芯设置在粘合层和载体之上。执行背面研磨操作以去除半导体晶片的部分并且暴露沟槽。粘合层在背面研磨操作期间将半导体管芯保持在适当位置。将密封剂沉积在半导体管芯之上以及沉积到沟槽中。去除载体和粘合层。对经封装的半导体管芯清洗并且将经封装的半导体管芯单体化成个体半导体器件。测试半导体器件的电气性能和功能性。 |
申请公布号 |
CN106409760A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201610402516.8 |
申请日期 |
2016.06.08 |
申请人 |
商升特公司 |
发明人 |
S.金努萨米 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
申屠伟进;陈岚 |
主权项 |
一种制作半导体器件的方法,包括:提供包括多个半导体管芯的半导体晶片;在半导体管芯之间并且部分地通过半导体晶片形成沟槽;在载体之上设置半导体晶片,其中沟槽朝向载体取向;在载体之上设置半导体晶片之后,去除沟槽之上的半导体晶片的第一部分以单体化半导体管芯;以及将密封剂沉积在半导体管芯之上以及沉积到沟槽中。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |