瞬态电压抑制二极管封装结构

摘要

本发明涉及半导体结构，具体是一种瞬态电压抑制二极管封装结构；其包括基底、设置于基底上端面的封装体及设置于基底下端面的数个电极，所述基底上端具有凹槽，该凹槽内设置有管芯组件，所述管芯组件包括数个呈层状堆叠的铜电极片及设置于相邻铜电极片之间的管芯，所述封装体与基底形成一腔室，所述管芯组件设置于该腔室内；本发明中铜电极片具有很好的散热性，所以使得整个产品散热性好、可靠性高、使用寿命长，此外本发明还具有引线不易断裂，生产效率高等优点。

主权项

一种瞬态电压抑制二极管封装结构，包括基底(1)、设置于基底(1)上端面的封装体(2)及设置于基底(1)下端面的数个电极，其特征在于：所述基底(1)上端具有凹槽(11)，该凹槽(11)内设置有管芯组件(3)，所述管芯组件(3)包括数个呈层状堆叠的铜电极片(31)及设置于相邻铜电极片之间的管芯(32)，所述封装体(2)与基底(1)形成一腔室，所述管芯组件(3)设置于该腔室内。