发明名称 |
基于Ir<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的深紫外APD探测二极管及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于Ir<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的深紫外APD探测二极管及其制作方法。该方法包括:选取β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底;在β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底表面生长β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>材料形成同质外延层;在同质外延层表面生长上生长Ir<sub>2</sub>O<sub>3</sub>材料形成异质外延层;刻蚀异质外延层和同质外延层形成梯形结构;在异质外延层表面形成顶电极;在β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底下表面形成底电极,最终形成APD探测器二极管。本发明采用β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>材料,发挥该材料在深紫外光区域和可见光区域的极高光透率和透明度,并确保了APD探测器的耐压极高、击穿电场较高,适合高频、高辐射、高温高压等极端环境,在极端环境下不仅器件可靠性大幅提高,探测性能也将优于目前的APD探测器。 |
申请公布号 |
CN106409987A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201611124463.4 |
申请日期 |
2016.12.08 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
元磊;张弘鹏;贾仁需;张玉明 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
西安智萃知识产权代理有限公司 61221 |
代理人 |
刘长春 |
主权项 |
一种基于Ir<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的深紫外APD探测二极管的制作方法,其特征在于,包括:步骤1、选取β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底;步骤2、在所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底表面生长β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>材料形成同质外延层;步骤3、在所述同质外延层表面生长上生长Ir<sub>2</sub>O<sub>3</sub>材料形成异质外延层;步骤4、刻蚀所述异质外延层和所述同质外延层形成梯形结构;步骤5、在所述异质外延层表面形成顶电极;步骤6、在所述β‑Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>衬底下表面形成底电极,最终形成所述APD探测器二极管。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学 |