一种闪存单元制作方法

摘要

本发明提供一种闪存单元制作方法，其中，提供一硅衬底，硅衬底定义有存储器件区及外围电路区，存储器件区与外围电路区之间通过浅沟槽结构进行隔离，硅衬底上表面覆盖一多晶硅层，还包括以下步骤：步骤S1、于多晶硅层进行离子注入，并进行退火；步骤S2、去除预定厚度的位于存储器件区上方的多晶硅层，预定厚度小于多晶硅层的厚度；步骤S3、对剩余的多晶硅层进行减薄，使多晶硅层表面平坦。其技术方案有益效果在于，在制作闪存单元过程中可控制多晶硅片的存储区层和外围电路层研磨厚度保持一致，避免研磨中存储区层和外围电路层出现高度差，造成后续对外围电路层的多晶硅去除时易对闪存单元的硅衬底造成损伤的问题。

主权项

一种闪存单元制作方法，其特征在于，提供一硅衬底，所述硅衬底定义有存储器件区及外围电路区，所述存储器件区与所述外围电路区之间通过浅沟槽结构进行隔离，所述硅衬底上表面覆盖一多晶硅层，还包括以下步骤：步骤S1、于所述多晶硅层进行离子注入，并进行退火；步骤S2、去除预定厚度的位于所述存储器件区上方的所述多晶硅层，所述预定厚度小于所述多晶硅层的厚度；步骤S3、对剩余的所述多晶硅层进行减薄，使所述多晶硅层表面平坦。