| 发明名称 | 半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其形成方法，其中，所述半导体器件包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部；位于所述鳍部侧壁的绝缘层，所述绝缘层位于所述半导体衬底表面，且其表面低于鳍部的顶部表面，所述绝缘层的导热系数大于氧化硅的导热系数。半导体器件中鳍部侧壁的绝缘层选用导热系数大于氧化硅的导热系数的绝缘材料，在保证绝缘的同时，提高了传热速率。因此，半导体器件工作的过程中，鳍部附近或半导体衬底内产生的热量通过上述导热系数大的绝缘层传导出去，可快速降低半导体器件的温度，提高了半导体器件的散热性，从而提高其性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106409789A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201510456885.0 | 申请日期 | 2015.07.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 谢欣云;周鸣 |
| 分类号 | H01L23/373(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/373(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有凸起的鳍部；位于所述鳍部侧壁的绝缘层，所述绝缘层位于所述半导体衬底表面，且其表面低于鳍部的顶部表面，所述绝缘层的导热系数大于氧化硅的导热系数。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||