半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底内形成有底层金属层；形成覆盖基底表面以及底层金属层表面的介质层，介质层的材料具有多孔结构；在介质层表面形成图形化的掩膜层；以图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层，形成贯穿介质层的开口，且开口底部暴露出底层金属层顶部表面；采用含碳气体对所述开口进行第一刻蚀后处理，在开口侧壁表面形成密封层；在形成密封层之后，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除图形化的掩膜层；形成填充满开口的导电层，且导电层顶部与介质层顶部齐平。本发明增加了形成导电层的工艺窗口，改善形成的半导体结构的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有底层金属层，且所述基底暴露出所述底层金属层顶部表面；形成覆盖所述基底表面以及底层金属层顶部表面的介质层，所述介质层的材料具有多孔结构；在所述介质层表面形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述介质层，形成贯穿所述介质层的开口，且所述开口底部暴露出底层金属层顶部表面；采用含碳气体对所述开口进行第一刻蚀后处理，在所述开口侧壁表面形成密封层；在形成所述密封层之后，采用湿法刻蚀工艺刻蚀去除所述图形化的掩膜层；形成填充满所述开口的导电层，且所述导电层顶部与介质层顶部齐平。