发明名称 一种高磁屏蔽的通讯变压器及其制造方法
摘要 本发明公开了一种高磁屏蔽的通讯变压器及其制造方法,该高磁屏蔽的通讯变压器至少可承受不低于150℃的长时工作温度、电磁屏蔽至少为T级;通过控制钼坡莫磁芯的成型、固定和冲击‑去应力‑变形‑校形‑去应力的多次循环处理获得稳定性高的钼坡莫磁芯,又通过采用电磁性能优良的氮化铝基陶瓷骨架、全封闭式的铝合金屏蔽罩、在铝合金屏蔽罩内填充导热绝缘材料,提升了本发明的通讯变压器的耐热性和屏蔽性能;本发明的高磁屏蔽的通讯变压器抗高温、电磁屏蔽效果好、使用寿命长。
申请公布号 CN106409491A 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201610713725.4 申请日期 2016.08.24
申请人 宁波华众和创工业设计有限公司 发明人 何琳
分类号 H01F41/00(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I;H01F1/147(2006.01)I;H01F27/245(2006.01)I;H01F41/12(2006.01)I 主分类号 H01F41/00(2006.01)I
代理机构 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 代理人 李静
主权项 一种高磁屏蔽的通讯变压器的制造方法,其特征在于包括以下步骤:1)各部件的选用和准备①骨架选用与日字形磁芯(3)匹配的氮化铝基陶瓷骨架(2);②磁芯(3)选用钼坡莫带材,该钼坡莫原材料含钼3.2%‑3.8%、含铁15.8%‑17.2%、含镍79%‑81%;③屏蔽罩(1)采用铝合金制成,采用全封闭结构;④封装材料采用环氧树脂;⑤绕组(4)采用标准绕组(4)用带绝缘漆的铜线;⑥导热绝缘材料(5)采用硅橡胶与玻璃纤维按重量比9:1混合的颗粒状混合物;2)磁芯(3)的加工处理①将钼坡莫原材料放置于装配了日字形冲头的冲压机下,环形金属冲压模具中,按标准方法冲击压型,获得多个钼坡莫成型片;②步骤①完成后,将步骤①获得的钼坡莫成型片放入真空炉,在1pa‑10pa的真空环境里、950℃‑1000℃温度下进行预退火处理,退火完成后随炉冷却至550℃‑580℃后出炉,获得变形钼坡莫成型片;③将步骤②获得的变形钼坡莫成型片多层叠放后,放置在定型夹具中进行物理强制定型,获得定型钼坡莫磁芯(3);④将步骤③获得的定型钼坡莫磁芯(3)放入真空炉,在1pa‑10pa的真空环境里、950℃‑1000℃温度下进行终退火处理,退火完成后随炉冷却至550℃‑580℃后出炉,获得去应力钼坡莫磁芯(3);⑤反复进行③~④工序,直至去除耐高温定型夹具后获得的去应力钼坡莫磁芯(3)仍能满足尺寸要求,即获得待用钼坡莫磁芯(3);⑥采用环氧树脂对步骤⑤获得的待用钼坡莫磁芯(3)进行粘合和封装,即获得所需钼坡莫磁芯(3)3)通讯变压器的加工与装配①将钼坡莫磁芯(3)放置于氮化铝基陶瓷骨架(2)中,采用环氧树脂固定;②将带绝缘漆的铜线按标准缠绕方式缠绕在氮化铝基陶瓷骨架(2)上,并采用环氧树脂封装;③采用铝合金屏蔽罩(1)将整个共模电感封装,封装时在间隙内填充满1)中步骤⑥准备的颗粒状导热绝缘材料(5);然后采用环氧树脂进行密封,即获得通讯变压器;4)通讯变压器的稳定化处理①将3)中步骤③获得的待处理通讯变压器放置于冷冻箱中,温度不高于‑70℃,保温20min‑30min,获得冷处理通讯变压器;②步骤①完成后,将步骤①获得的冷处理通讯变压器置于室温下,至其温度回复至室温,然后放入烘箱中,以不高于2℃/min的升温速率升至100℃‑105℃,保温25min‑30min,获得热循环通讯变压器;③将步骤②获得的热循环通讯变压器置于室温下,至其温度回复至室温;④反复进行①~③工序两次,即获得所需高磁屏蔽的通讯变压器。
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