一种CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法

摘要

本发明公开了一种CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法。本发明的方法包括步骤：S1，采用微区Raman光谱仪，选择Raman光谱测试模式，设定Raman光谱的测试参数，对CaF₂光学元件的聚焦区域进行Raman光谱测试；S2，微区Raman光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试；S3，对所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。本发明提供的CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法能提高检测的精度和准确性。

主权项

一种CaF₂光学基底深紫外激光辐射诱导表面变化检测方法，其特征在于，包括步骤：S1，采用微区拉曼拉曼光谱仪，选择拉曼光谱测试模式，设定拉曼光谱的测试参数，对CaF₂光学元件的聚焦区域进行拉曼光谱测试，获得特定波长范围的拉曼光谱；S2，保持上述CaF₂光学元件聚焦状态不变，微区拉曼光谱仪选择荧光光谱测试模式及荧光光谱的测试参数，对样品的聚焦区域进行荧光光谱测试，获得特定波长范围的荧光光谱；S3，对所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域进行Mapping面扫描测试；S4，对测试结果进行分析，判断所测CaF₂光学元件表面的所有被辐照区域是否出现变化。