发明名称 低热阻H桥
摘要 低热阻H桥。属于功率半导体产品领域,尤其涉及对H桥结构的改进。提供了一种散热性能好,产品可靠性更高的低热阻H桥。所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板本体、设于所述本体顶面的铜构造层和设于所述本体底面的覆铜层;所述铜构造层在所述陶瓷板顶面上设有四块相互绝缘区域,在四块相互绝缘区域上分别设有四个芯片安置位,使得四个芯片安置位处于陶瓷板的四个边的中部位置。所述覆铜层的边缘轮廓小于所述陶瓷板的边缘轮廓。本实用新型增加了焊锡与跳线之间的结合面积,提高了焊接连接的可靠性。
申请公布号 CN205960972U 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201620961815.0 申请日期 2016.08.26
申请人 江苏扬杰半导体有限公司 发明人 赵冬;周理明;谢星月;邵家伟;王毅
分类号 H02M7/00(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I 主分类号 H02M7/00(2006.01)I
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人 陈彩霞
主权项 低热阻H桥,包括铜基板、覆铜陶瓷板、四粒芯片以及四只跳线,其特征在于,所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板本体、设于所述本体顶面的铜构造层和设于所述本体底面的覆铜层;所述铜构造层在所述陶瓷板顶面上设有四块相互绝缘区域,在四块相互绝缘区域上分别设有四个芯片安置位,使得四个芯片安置位处于陶瓷板的四个边的中部位置。
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