发明名称 |
低热阻H桥 |
摘要 |
低热阻H桥。属于功率半导体产品领域,尤其涉及对H桥结构的改进。提供了一种散热性能好,产品可靠性更高的低热阻H桥。所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板本体、设于所述本体顶面的铜构造层和设于所述本体底面的覆铜层;所述铜构造层在所述陶瓷板顶面上设有四块相互绝缘区域,在四块相互绝缘区域上分别设有四个芯片安置位,使得四个芯片安置位处于陶瓷板的四个边的中部位置。所述覆铜层的边缘轮廓小于所述陶瓷板的边缘轮廓。本实用新型增加了焊锡与跳线之间的结合面积,提高了焊接连接的可靠性。 |
申请公布号 |
CN205960972U |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201620961815.0 |
申请日期 |
2016.08.26 |
申请人 |
江苏扬杰半导体有限公司 |
发明人 |
赵冬;周理明;谢星月;邵家伟;王毅 |
分类号 |
H02M7/00(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I |
主分类号 |
H02M7/00(2006.01)I |
代理机构 |
南京纵横知识产权代理有限公司 32224 |
代理人 |
陈彩霞 |
主权项 |
低热阻H桥,包括铜基板、覆铜陶瓷板、四粒芯片以及四只跳线,其特征在于,所述覆铜陶瓷板包括陶瓷板本体、设于所述本体顶面的铜构造层和设于所述本体底面的覆铜层;所述铜构造层在所述陶瓷板顶面上设有四块相互绝缘区域,在四块相互绝缘区域上分别设有四个芯片安置位,使得四个芯片安置位处于陶瓷板的四个边的中部位置。 |
地址 |
225008 江苏省扬州市邗江区创业园中路26号2- |