| 发明名称 | 基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅助开关闭合，两者构成基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，辅助开关打开，拓扑等效为半桥/全桥混联MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下，辅助开关中的6<i>K</i>个机械开关可以省略。该半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，具有直流故障箝位能力，不依赖于专门的均压控制，能够在完成直交流能量转换的基础上，自发地实现子模块电容电压的均衡，同时可以相应降低子模块触发频率和电容容值，实现MMC的基频调制。 | ||
| 申请公布号 | CN205960964U | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201620068892.3 | 申请日期 | 2016.01.25 |
| 申请人 | 华北电力大学 | 发明人 | 赵成勇;许建中;刘航 |
| 分类号 | H02M7/00(2006.01)I;H02M7/487(2007.01)I;H02M7/5387(2007.01)I | 主分类号 | H02M7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑，其特征在于：包括由A、B、C三相构成的半桥/全桥混联MMC模型，A、B、C三相每个桥臂分别由<i>K</i>个半桥子模块、<i>N</i>‑<i>K</i>个全桥子模块及1个桥臂电抗器串联而成；包括由6<i>K</i>个辅助机械开关，6<i>N</i>‑6<i>K</i>个辅助IGBT模块，6<i>N</i>+7个钳位二极管，4个辅助电容<i>C</i><sub>1</sub>、<i>C</i><sub>2</sub><i>、C</i><sub>3</sub>、<i>C</i><sub>4</sub>，2个辅助IGBT模块<i>T</i><sub>1</sub>、<i>T</i><sub>2</sub>构成的自均压辅助回路。 | ||
| 地址 | 102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号 | ||