| 摘要 |
공정이 번잡하게 되는 일이 없고, 또한 미세화에 의해서도 베이스에 악영향을 미치는 일이 없으며, 또한 고 스루풋으로 매립 부분의 보이드나 시임을 해소한 텅스텐 막을 성막한다. 챔버 내에 홀을 갖는 웨이퍼를 배치하고, WCl가스 및 H가스를 동시에 또는 교대로 공급하며, 웨이퍼를 가열하면서 이들 가스를 반응시켜서, 홀 내에 텅스텐의 매립부를 형성하고(스텝 1), 이어서 챔버 내에 WCl가스를 공급해서 매립부의 상부를 에칭하여 개구를 형성하며(스텝 2), 이어서 챔버 내에 WCl가스 및 환원 가스를 동시에 또는 교대로 공급하고, 웨이퍼를 가열하면서 WCl가스 및 환원 가스를 반응시켜서, 개구가 형성된 매립부를 갖는 웨이퍼에 대하여 텅스텐 막을 성막한다(스텝 3). |
