SPLIT GATE FIELD EFFECT TRANSISTOR

摘要

상기 디바이스는 트렌치, 게이트 전극 및 소스 전극을 가지고 있는 분할 게이트 구조를 포함한다. 제 1 폴리층은 게이트 전극에 연결된 트렌치 내에 배치된다. 제 2 폴리층은 상기 소스 전극에 연결되어 있으며, 상기 제 1 폴리층과 제 2 폴리층이 독립적이다.