发明名称 |
钛金属表面原位合成TiC‑DLC复合涂层的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种钛金属表面原位合成TiC‑DLC复合涂层的方法,将Ti靶置于镀膜室内,并通入烃类气体,对镀膜室抽真空并保持100~400℃温度,采用电弧离子镀使Ti离子从Ti靶蒸发出来,同时利用电弧放电离化烃类气体,从而在Ti靶形成TiC掺杂的DLC复合涂层。本发明采用原位合成技术在Ti靶材表面直接发生化学反应形成复合涂层,可显著提高复合涂层成分的均匀性和涂层结合力,且制备过程简单、成本低廉、效率高,在DLC涂层制备中具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN104141109B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410276279.6 |
申请日期 |
2014.06.19 |
申请人 |
武汉大学 |
发明人 |
徐雅柔;杨兵;万强;刘辉东;罗畅;陈燕鸣;梅青松 |
分类号 |
C23C14/32(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/32(2006.01)I |
代理机构 |
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 |
代理人 |
胡艳 |
主权项 |
钛金属表面原位合成TiC‑DLC复合涂层的方法,其特征在于:Ti靶置于镀膜室内,通入烃类气体,对镀膜室抽真空并保持100~400℃温度,采用电弧离子镀使Ti离子从Ti靶蒸发出来,Ti靶电流为50A,同时利用电弧放电离化烃类气体,从而在Ti靶形成TiC掺杂的DLC复合涂层;其中,烃类气体的通入流量50‑500sccm,合成时间为20~60分钟。 |
地址 |
430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学 |