发明名称 |
利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法,涉及SiC电子器件技术领域。包括如下步骤:(a)对SiC基片进行清洗处理;(b)在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜;(c)通过光刻技术在复合介质导电膜上形成对位标记的光刻胶图形;(d)采用湿法与干法腐蚀将没有光刻胶保护的复合介质导电膜去除;(e)将图形上的光刻胶去除,形成对位标记。本发明对位标记实现简单,投影光刻中易于识别,能够提高SiC基片光刻的精度,提高SiC器件性能的一致性、成品率和可靠性;还能与SiC器件制作过程中的高温工艺兼容,不会对高温设备的腔体造成污染。 |
申请公布号 |
CN104037163B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410246410.4 |
申请日期 |
2014.06.05 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十三研究所 |
发明人 |
王敬轩;王永维;王勇 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
石家庄国为知识产权事务所 13120 |
代理人 |
米文智 |
主权项 |
一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法,其特征在于包括如下步骤:a)对SiC基片进行清洗处理;b)在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜;所述复合介质导电膜是SiO<sub>2</sub>与多晶硅复合层,是在SiC基片(1)上先生长掩蔽介质膜(2),之后再生长导电膜(3),其中掩蔽介质膜(2)的成分为SiO<sub>2</sub>,导电膜(3)的成分为多晶硅;c)通过光刻技术在复合介质导电膜上形成对位标记的光刻胶图形;d)采用湿法与干法腐蚀将没有光刻胶保护的复合介质导电膜去除;e)将图形上的光刻胶去除,形成对位标记。 |
地址 |
050051 河北省石家庄市合作路113号 |