| 发明名称 | 氮化物半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体装置及其制造方法，所述氮化物半导体装置包括：形成在Si基板（10）上的未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）、以及形成在未掺杂GaN层（1）和未掺杂AlGaN层（2）上的由Ti/Al/TiN构成的欧姆电极（源极（11）、漏极（12））。使所述欧姆电极中的氮浓度在1×10<sup>16</sup>cm<sup>‑3</sup>以上且1×10<sup>20</sup>cm<sup>‑3</sup>以下。由此，能够降低氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103597582B | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201280028004.X | 申请日期 | 2012.08.08 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 藤井敬久;藤田耕一郎 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 岳雪兰 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体装置，其特征在于，包括：基板(10)；形成在所述基板(10)上的氮化物半导体层(20)；由形成在所述氮化物半导体层(20)上的TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)，由所述TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)是从基板(10)侧依次层积至少Ti层和Al层的层积金属膜；由所述TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)中的氮浓度在1×10<sup>16</sup>cm<sup>‑3</sup>以上且1×10<sup>20</sup>cm<sup>‑3</sup>以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||