发明名称 |
结合静电放电保护电路及方法 |
摘要 |
本发明揭示例如用于保护电路免受静电放电事件的电路、集成电路、设备及方法。在一实例方法中,使用由形成于半导体掺杂阱中的晶体管提供的泄漏电流触发晶闸管以将电流从信号节点传导到参考电压节点,所述晶体管与所述晶闸管的基极共享所述半导体掺杂阱。所述泄漏电流响应于所述信号节点处的噪声事件(例如,静电放电ESD事件),且增加所述半导体掺杂阱的电压以正向偏压所述晶闸管的基极及集极。经触发的晶闸管将由ESD事件所致的电流传导到所述参考电压节点。 |
申请公布号 |
CN103733336B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201280040250.7 |
申请日期 |
2012.08.17 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
范晓峰;迈克尔·D·谢纳 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
孙宝成 |
主权项 |
一种集成电路,其包括:晶体管,其耦合到节点;及晶闸管,其耦合到所述节点且经配置以耗散与所述节点处的噪声事件相关联的电流及/或电压;其中所述晶闸管与所述晶体管的源极共享掺杂区域,所述掺杂区域包含于掺杂阱区域中。 |
地址 |
美国爱达荷州 |