半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO₂膜和Al₂O₃膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。

主权项

一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有构成半导体层的GaN(氮化镓)，该半导体器件的制造方法的特征在于：在基板之上形成第一氮化物层，在所述第一氮化物层之上形成第二氮化物层，在所述第二氮化物层之上形成场氧化膜，包括栅极绝缘膜形成工序，以贯通所述场氧化膜和所述第二氮化物层的方式形成Al₂O₃膜，对所述Al₂O₃膜进行自由基氧化处理，之后，使用微波等离子体形成SiO₂膜，所述SiO₂膜仅贯通所述场氧化膜和所述第二氮化物层，所述SiO₂膜位于所述Al₂O₃膜与栅极电极之间，所述栅极电极位于所述栅极绝缘膜的所述SiO₂膜的开口，所述栅极绝缘膜形成工序使用径向线缝隙天线，利用频率为2.45GHz的微波，产生所述微波等离子体。