一种超材料的制备方法和超材料

摘要

本发明实施例提供了一种超材料制备的方法，该方法包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上淀积第一本征多晶硅层；对所述第一本征多晶硅进行掺杂，获得第一导体层；在所述第一导体层上形成预设的微结构阵列；在具有微结构阵列的第一导体层上淀积第二绝缘层；在第二绝缘层上淀积第二本征多晶硅层；对第二本征多晶硅层进行掺杂，获得第二导体层；在第二导体层上形成所述预设的微结构阵列。本发明实施例还提供了一种采用上述实施例制备的超材料。能够得到微结构可控性能更高、具有双晶硅电容特性的超材料。

主权项

一种超材料制备的方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上淀积第一本征多晶硅层；对所述第一本征多晶硅进行掺杂，获得第一导体层；在所述第一导体层上形成预设的微结构阵列；在具有微结构阵列的第一导体层上淀积第二绝缘层；在第二绝缘层上淀积第二本征多晶硅层；对第二本征多晶硅层进行掺杂，获得第二导体层；在第二导体层上形成所述预设的微结构阵列，其中，所述微结构阵列为轴对称图形或者非轴对称图形，在所述第一导体层上形成预设的微结构阵列，包括：在所述第一导体层上涂覆一层光刻胶，根据预设的微结构阵列对所述光刻胶进行光刻；在第一导体层上刻蚀或者蚀刻出光刻胶上光刻后形成的微结构阵列；相应的，在第二导体层上形成所述预设的微结构阵列，包括：在所述第二导体层上涂覆一层光刻胶，根据预设的微结构阵列对所述光刻胶进行光刻；在第二导体层上刻蚀或者蚀刻出光刻胶上光刻后形成的微结构阵列；对所述第一本征多晶硅进行掺杂，包括：将P型或者N型杂质注入到所述第一本征多晶硅层中；相应的，对第二本征多晶硅层进行掺杂，包括：将P型或者N型杂质注入到所述第二本征多晶硅层中。