| 发明名称 | 一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：步骤一，按照所述钼板中K和Si的含量分别称取所需的K源和Si源，配制得到混合溶液；步骤二，将步骤一得到的所述混合溶液与Mo源混合均匀并干燥，得到掺杂Mo源；步骤三，将步骤二得到的混合物进行还原处理，得到掺杂钼粉；步骤四，将步骤三得到的掺杂钼粉进行压型、烧结、轧制处理，得到掺杂钼板；步骤五，将步骤四得到的掺杂钼板进行退火处理，得到0.5～4mm厚的Mo‑K‑Si高温抗蠕变钼板。本发明的材料有极高的高温抗蠕变性能，在1900℃以下的抗蠕变性能远优于纯钼，可用作高温烧结的承烧板，或高温炉中的结构性部件。 | ||
| 申请公布号 | CN106399787A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610786622.0 | 申请日期 | 2016.08.31 |
| 申请人 | 安泰天龙（天津）钨钼科技有限公司;安泰科技股份有限公司 | 发明人 | 钟铭;韩蕊蕊;董建英;高欣海;刘亚梅 |
| 分类号 | C22C27/04(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;B22F9/22(2006.01)I;B22F3/04(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I;B22F3/24(2006.01)I;C22F1/18(2006.01)I | 主分类号 | C22C27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人 | 刘春成;荣红颖 |
| 主权项 | 一种掺杂K、Si元素的高温抗蠕变钼板的制备方法，其特征在于，所述钼板中K的质量百分比含量为0.01～0.03％，Si的质量百分比含量为0.01～0.05％，所述制备方法包括如下步骤：步骤一，按照所述钼板中K和Si的含量分别称取所需的K源和Si源，配制得到混合溶液；步骤二，将步骤一得到的所述混合溶液与Mo源混合均匀并干燥，得到掺杂Mo源；步骤三，将步骤二得到的混合物进行还原处理，得到掺杂钼粉；步骤四，将步骤三得到的掺杂钼粉进行压型、烧结、轧制处理，得到掺杂钼板；步骤五，将步骤四得到的掺杂钼板进行退火处理，得到高温抗蠕变钼板。 | ||
| 地址 | 301800 天津市宝坻区节能环保工业区宝中道10号 | ||