发明名称 |
具有发光二极管与改进的辐射图的光电装置 |
摘要 |
本发明涉及一种光电装置(5),其设有:支撑件(10),此支撑件包括具有至少一个凹形部分或凸起部分(15)的表面(14),此部分的挠度的幅值大于所述部分的弦(C)的1/20;以及发光二极管(18),其放置在所述部分上,每个发光二极管都包括与所述部分接触的圆柱形、圆锥形或截头圆锥形半导体元件,在每个半导体元件与所述部分之间的接触表面的挠度的幅值小于或等于0.5μm。 |
申请公布号 |
CN106415857A |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201580030680.4 |
申请日期 |
2015.03.27 |
申请人 |
原子能与替代能源委员会;艾利迪公司 |
发明人 |
阿德里安·加斯;伯纳德·安德烈;休伯特·博诺;泽维尔·于翁 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
杨生平;王瑞朋 |
主权项 |
一种光电装置(5;50;55),其包括:支撑件(10),该支撑件包括具有至少一个凹形部分或凸起部分(15;56)的表面(14),所述部分的挠度的幅值大于所述部分的弦(C)的1/20;以及发光二极管(18),其搁置在所述部分上,每个发光二极管都包括与所述部分接触的圆柱形、圆锥形或锥形半导体元件(66;80),在每个半导体元件与所述部分之间的接触表面的挠度的幅值小于或等于0.5μm。 |
地址 |
法国巴黎 |