SOI基板的评估方法

摘要

本发明涉及一种SOI基板的评估方法，包含：预先于测定用SOI基板形成装置，求取测定用SOI基板的接口状态密度与施加高周波时漏功率的关系，或是将接口状态密度换算为电阻而求取换算的电阻与该漏功率的关系；测定评估对象SOI基板的接口状态密度而求取接口状态密度，或是求取基于接口状态密度所换算得出的电阻；以及借由测定评估对象SOI基板的接口状态密度，基于预先求取接口状态密度与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率，或是借由测定评估对象SOI基板的接口状态密度所换算的电阻，基于预先求取电阻与漏功率的关系，评估评估对象SOI基板的漏功率。如此，不实际测定高周波特性，借由尽可能简单的方法评估适合高周波的基板。

主权项

一种SOI基板的评估方法，是用于对评估对象的SOI基板施加高周波时评估高周波特性的方法，包含下列步骤：预先于测定用SOI基板形成装置，求取该测定用SOI基板的接口状态密度与施加高周波时的漏功率的关系，或是将该接口状态密度换算为电阻而求取该换算的电阻与该漏功率的关系；测定该评估对象SOI基板的接口状态密度而求取接口状态密度，或是求取基于该接口状态密度所换算得出的电阻；以及自该经测定的该评估对象的SOI基板的该接口状态密度，基于该预先求取的接口状态密度与漏功率的关系，评估该评估对象的SOI基板的漏功率，或是自该经测定的该评估对象的SOI基板的该接口状态密度所换算的电阻，基于该预先求取的电阻与漏功率的关系，评估该评估对象的SOI基板的漏功率。