| 发明名称 | 氟化镁烧结体的制造方法、中子慢化剂的制造方法及中子慢化剂 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种抑制裂纹或缺口，提高了相对密度的氟化镁烧结体的制造方法、中子慢化剂的制造方法及中子慢化剂。氟化镁烧结体的制造方法包括：将氟化镁粉末材料振实填充于模具中的粉体填充工序S1；和对填充的氟化镁粉末材料进行边脉冲通电边烧结的脉冲通电烧结，得到氟化镁烧结体(中间体)的中间体烧结(脉冲通电烧结)工序S2。 | ||
| 申请公布号 | CN106414369A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201580005534.6 | 申请日期 | 2015.01.20 |
| 申请人 | 日本轻金属株式会社;株式会社CICS;株式会社新特蓝德 | 发明人 | 古屋日高;真田一人;菅原佳宪;薄秀明;中村胜;竹井进一 |
| 分类号 | C04B35/553(2006.01)I;A61N5/10(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;G21K1/00(2006.01)I;G21K3/00(2006.01)I;G21K5/02(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/553(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;吕秀平 |
| 主权项 | 一种氟化镁烧结体的制造方法，其特征在于，包括：粉体填充工序，将氟化镁粉末材料振实填充于模具中；脉冲通电烧结工序，对经所述粉体填充工序填充的所述氟化镁粉末材料进行边脉冲通电边烧结的脉冲通电烧结，得到氟化镁烧结体。 | ||
| 地址 | 日本，东京都 | ||