一种基于Co₂MnGe/GaAs界面半金属性的制备工艺

摘要

本发明提供了一种基于Co₂MnGe/GaAs界面半金属性的制备工艺，包括以下步骤：第一步：构建全霍伊斯勒L₂₁型Co₂MnGe的晶体结构，对其晶格结构进行优化；第二步：在平衡晶格常数a_eq下，对Co₂MnGe的态密度进行计算并加以分析；第三步：构建Co₂MnGe/GaAs（111）方向四种界面结构并进行优化；第四步：计算优化后的界面结构的态密度并加以分析；第五步：通过分析和比较，获得具有半金属特性的界面结构。

主权项

一种基于Co₂MnGe/GaAs界面半金属性的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步：构建全霍伊斯勒L₂₁型Co₂MnGe的晶体结构，对其晶格结构进行优化，获得平衡晶格常数a_eq；第二步：在平衡晶格常数a_eq下，对Co₂MnGe的态密度进行计算并加以分析，确定块材的Co₂MnGe具有良好的半金属性；第三步：在<111>方向，构建半金属Co₂MnGe和半导体GaAs组成的四种界面结构并进行优化，在优化的过程中，为了尽可能的接近实际，允许界面附近左右5层的原子位置弛豫，其他原子位置固定；第四步：计算优化后的界面结构的态密度并加以分析，利用图示法画出界面结构的态密度，并与块材态密度进行比较；第五步：通过分析和比较，获得具有半金属特性的界面结构。