| 发明名称 | 高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及高质量碳化硅晶体生长用斜籽晶托以及生长高质量碳化硅晶体的方法，所述籽晶托与籽晶接触的平面与水平方向的夹角范围为0<sup>°</sup><α≤30<sup>°</sup>。采用本发明的斜角度籽晶托不仅可以有效降低制备晶体的缺陷密度，还可以直接选择无偏角晶片作籽晶，从而有效节约晶体制备的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN106400116A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610879687.X | 申请日期 | 2016.10.08 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 高攀;严成锋;忻隽;孔海宽;刘学超;施尔畏 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 郑优丽;熊子君 |
| 主权项 | 一种碳化硅晶体生长用的斜角度籽晶托，其特征在于，所述籽晶托与籽晶接触的平面与水平方向的夹角范围为0<sup>°</sup><α≤30<sup>°</sup>。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||