一种半导体靶材用高纯镍锭的制备工艺

摘要

本发明在于提供一种杂质元素含量低，高纯镍锭的制备工艺，即一种半导体靶材用高纯镍锭的制备工艺，主要步骤是备料、装炉、多次熔炼，即采用电子束炉熔炼，熔炼在维持炉膛真空度≤1.0×10^‑2pa时开始升温熔炼，熔炼温度控制在≥2130℃；控制熔炼速度≤20.1kg/h，充分融化电解镍板；熔炼后形成的镍锭在炉膛里冷却6h～12h，出炉。本发明根据物料质量的多少来选择熔炼速度、温度和时间等参数，在熔炼过程操控电子束的精准分布，能最大效能控制金属的纯度和杂质的挥发去除；高纯金属镍质量无气孔，无夹杂，适合于靶材后续的利用加工。

主权项

一种半导体靶材用高纯镍锭的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，备料：选择铁、钴、铜含量低的电解镍板，纯度≥99.8％；步骤2，装炉：电解镍板绑料装炉，装炉前清理炉膛和反应器；步骤3，一次熔炼：采用电子束炉熔炼，当维持炉膛真空度≤1.0×10^‑2pa时开始升温熔炼，熔炼温度控制在≥2130℃；熔炼速度控制在≤20.1kg/h，充分融化电解镍板；熔炼后形成的镍锭在炉膛里冷却6h～12h；步骤4，二次熔炼：重复步骤3至少一次；步骤5，出炉、取样分析：从镍锭上中下三个部位取三个切片，超声波清洗后送检分析，检验纯度≥99.99％，合格入库。