光电探测器制备方法及制备的广角光电探测器

摘要

本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括如下步骤：在光电探测结构的上表面光刻出再构光敏面的图形，去除位于再构光敏面内的表面损伤层，在再构光敏面内形成广角结构。本发明的有益效果在于：提供了一种广角光电探测器的制备方法，高效可靠，通过在光电探测器表面再构，打破菲涅尔反射系数入射角的限制，降低对入射波长的敏感度，不需加入额外的系统，仅通过单个光电探测器实现广角探测。

主权项

一种光电探测器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，光刻步骤，在光电探测结构(103)的上表面光刻出再构光敏面(102)的图形，去除表面损伤层步骤，将所述光电探测结构(103)置于60‑100℃，20wt％的KOH溶液中，去除位于再构光敏面(102)内的大约10μm的表面损伤层；再构步骤，将所述光电探测结构(103)置于60‑100℃，3wt％的KOH及8vol％的异丙醇混合溶液中，在再构光敏面(102)内形成广角结构，所述广角结构为所述再构光敏面(102)的规则连续截面，用以使斜入射光接触所述再构光敏面(102)后产生的反射光再次作为斜入射光进入至所述光电探测结构(103)内。