半导体装置的驱动方法

摘要

本发明涉及半导体装置的驱动方法。本发明的目的在于提供一种减少晶体管的阈值电压不均匀以及迁移率不均匀的影响的半导体装置的驱动方法。本发明提供一种半导体装置的驱动方法，该半导体装置包括：n沟道型的具有导电性的晶体管；用来控制晶体管的栅极和第一端子之间的电连接的开关；电连接到晶体管的栅极和第二端子之间的电容元件；以及显示元件，其中，驱动方法包括：将相应于晶体管的阈值电压的电压及影像信号电压之和保持在电容元件中的第一期间；通过使开关成为导通状态，使相应于影像信号电压及阈值电压之和而保持在电容元件中的电荷经过晶体管放电的第二期间；以及在第二期间后经过晶体管将电流供应到显示元件的第三期间。

主权项

一种半导体装置，包括：晶体管，包括：衬底上的半导体层，所述半导体层包括沟道区域、第一区域和第二区域；以及所述半导体层上的导电层，所述半导体层和所述导电层之间有绝缘层，所述导电层与所述沟道区域重叠；第一开关；第二开关；电容器；以及显示元件，其中所述第一开关的第一端子电连接到所述晶体管的栅极，其中所述第二开关的第一端子电连接到所述晶体管的源极和漏极中的一方，其中所述电容器的第一端子电连接到所述晶体管的所述栅极，其中所述电容器的第二端子电连接到所述晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一方，其中所述晶体管的所述源极和所述漏极中的所述一方电连接到所述显示元件，其中所述半导体层包括氧化物半导体，其中所述第一区域在所述沟道区域与所述第二区域之间，并且其中所述第一区域的杂质浓度低于所述第二区域的杂质。