发明名称 基于长周期金属表面等离子体的波导热光开关及其制备方法
摘要 一种基于长周期金属表面等离子体的波导热光开关及其制备方法,属于波导光开关及其制备技术领域。从下至上各层依次为:硅衬底(1)、下包层(2)、芯层波导(3)、掩膜层(8)、上包层(10)和热电极(6);下包层(2)、掩膜层(8)和上包层(10)均使用聚合物P(MMA‑GMA)制作,折射率为1.48~1.51,下包层(2)和上包层(10)的厚度为8~13μm,掩膜层(8)的厚度为1~2μm;芯层波导(3)为M‑Z干涉仪结构的金膜,金膜的厚度为20~25nm,其复折射率为0.55‑11.5i。本发明的器件及其制作方法不仅能够有效改善LRSPP波导表面形貌,且无需利用LRSPP波导本身作为热电极,增强了开关结构的可靠性及寿命,器件成品率高,适合大批量生产。
申请公布号 CN104297948B 申请公布日期 2017.02.15
申请号 CN201410468374.6 申请日期 2014.09.14
申请人 吉林大学 发明人 刘通;孙小强;张大明;王菲;陈长鸣;衣云骥;王希斌
分类号 G02F1/01(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I 主分类号 G02F1/01(2006.01)I
代理机构 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人 张景林;王恩远
主权项 一种基于长周期金属表面等离子体的波导热光开关,从下至上各层依次为硅衬底(1)、下包层(2)、芯层波导(3)、掩膜层(8)、上包层(10)和热电极(6);下包层(2)、掩膜层(8)和上包层(10)均使用聚合物P(MMA‑GMA)制作,折射率为1.48~1.51,下包层(2)和上包层(10)的厚度为8~13μm,掩膜层(8)的厚度为1~2μm;其特征在于:芯层波导(3)为M‑Z干涉仪结构的金膜,金膜的厚度为20~25nm,其复折射率为0.55‑11.5i;芯层波导(3)由一体结构的第一输入/输出区、第一Y分支区、两臂结构的波导调制区、第二Y分支区和第二输入/输出区组成;光从第一输入/输出区输入,然后经过第一Y分支区被分成光功率相等的两路光,分别在波导调制区的两臂里传输,再通过第二Y分支区而合在一起,经由第二输入/输出区输出;掩膜层(8)同为M‑Z干涉仪结构;M‑Z干涉仪的两臂具有相同的长度,且在其中的一个臂的上包层上方镀有金属薄膜作为热电极(6)形成相位调节器。
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