发明名称 |
一种电控光阀被动式发光器件及其制备工艺 |
摘要 |
本发明公开了一种电控光阀被动式发光器件的制备工艺,包括以下步骤:(1)在玻璃衬底上沉积碳纳米管薄膜或者石墨烯薄膜并图形化形成电控光阀层;(2)在电控光阀层上沉积绝缘膜层并图形化使部分电控光阀层露出;(3)在所述绝缘膜层上沉积TFT管,所述TFT管的源漏电极与步骤(2)中露出的电控光阀层连接;(4)在所述TFT管上沉积透明绝缘填充层,使透明绝缘填充层覆盖于所述TFT管及TFT管未覆盖的绝缘膜层上方;(5)在所述透明绝缘填充层上沉积透明公用电极;(6)在透明公用电极上制备背光模组。本发明还公开了一种电控光阀被动式发光器件。本发明具有结构简单、性能优良、制备方便的特点。 |
申请公布号 |
CN104143532B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410345527.8 |
申请日期 |
2014.07.18 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
宁洪龙;王磊;兰林锋;彭俊彪 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
陈文姬 |
主权项 |
一种电控光阀被动式发光器件的制备工艺,其特征在于,通过如下步骤制备而成:(1)预先将碳纳米管或者石墨烯混合于固体电解质中形成基料,将基料沉积于玻璃衬底上形成碳纳米管薄膜或者石墨烯薄膜并进行图形化,形成电控光阀层;(2)在电控光阀层上沉积绝缘膜层,并对所述绝缘膜层进行图形化使部分电控光阀层露出;(3)在所述绝缘膜层上沉积TFT管,所述TFT管的源漏电极与步骤(2)中露出的电控光阀层连接;(4)在所述TFT管上沉积透明绝缘填充层,使透明绝缘填充层覆盖于所述TFT管及TFT管未覆盖的绝缘膜层上方;(5)在所述透明绝缘填充层上沉积透明公用电极;(6)在透明公用电极上制备背光模组。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |