发明名称 |
一种用于太阳能电池的多晶硅制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于太阳能电池的多晶硅制作方法,包括如下步骤:a)首先提供金属硅原料,并用冶炼提纯法去除原料中的过渡族及碱金属;b)接着继续采用冶炼提纯法去除原料中的磷、硼和锗;c)再将冶炼提纯后的多晶硅熔液倒入可进行定向凝固的容器里凝固成型,形成多晶硅锭;d)检测多晶硅锭表面电阻率,并对检测值符合预设值的多晶硅锭进行破碎处理;e)最后将破碎后的多晶硅碎块装入石英坩埚中,并将石英坩埚装入铸锭炉内,进行铸锭。本发明通过冶炼提纯和定向凝固控制多晶硅锭中磷、硼和锗的合理含量,从而无需掺杂流程即可提高硅太阳能电池的光电转换效率,且使得多晶硅太阳能电池效率下降较少,具有更加稳定的效率输出。 |
申请公布号 |
CN103952753B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410152590.X |
申请日期 |
2014.04.16 |
申请人 |
江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
发明人 |
高文秀;李帅;赵百通 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 |
代理人 |
金碎平 |
主权项 |
一种用于太阳能电池的多晶硅制作方法,其特征在于,包括如下步骤:a)首先提供金属硅原料,并用冶炼提纯法去除原料中的过渡族及碱金属;b)接着继续采用冶炼提纯法去除原料中的磷、硼和锗;c)再将冶炼提纯后的多晶硅熔液倒入可进行定向凝固的容器里凝固成型,形成多晶硅锭;d)检测多晶硅锭表面电阻率,并对检测值符合预设值的多晶硅锭进行破碎处理,破碎后的多晶硅碎块最大尺寸不超过15cm;e)最后将破碎后的多晶硅碎块装入石英坩埚中,并将石英坩埚装入铸锭炉内,进行铸锭;所述步骤b)中冶金提纯处理后控制磷的含量为0.1~0.6ppmw,硼的含量为0.05~0.3ppmw,锗含量为1~10ppmw;所述步骤c)中定向凝固的多晶硅锭中磷的含量为0.4ppmw,硼的含量为0.2ppmw,锗含量为5ppmw;所述步骤c)中定向凝固速率不大于3cm/小时;所述步骤d)中电阻率的预设值为1.5~3.0Ω·cm;所述步骤d)中将多晶硅锭表面去皮1~2cm后,采用辉光放电质谱法检测多晶硅锭表面电阻率。 |
地址 |
214222 江苏省无锡市宜兴经济开放区文庄路8号 |