自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法

摘要

一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第二隧道势垒的磁阻比率具有比第一隧道势垒的磁阻的两倍大的值。

主权项

一种形成在具有限定平面的表面的基板上的自旋扭矩磁阻存储元件，所述自旋扭矩磁阻存储元件包括：第一电极，其包括形成在基板上方的铁磁材料；第二电极，其包括非铁磁材料；自由磁层；第一隧道势垒，其位于自由磁层与第一电极之间以形成具有第一磁阻比率和第一电阻面积乘积的第一隧道结；以及第二隧道势垒，其位于自由磁层与第二电极之间以形成具有第二磁阻比率和第二电阻面积乘积的第二隧道结，其中，第二电极的非铁磁材料设置在第二隧道势垒上，并且其中，第二隧道结的隧穿磁阻为零。