一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法，属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极，在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜，然后在绝缘层上再溅射沟道层薄膜和源漏电极，沟道宽度为20～100μm。该复合高k绝缘层薄膜晶体管为底栅极结构，该复合绝缘层可以在保证绝缘耐压性能的前提下，降低绝缘层厚度，提高其介电常数，进而降低器件的开启电压和饱和电压，应用于TFT‑LCD中可以缩短响应时间，降低功耗，提高工作效率。

主权项

一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构，其特征在于，包括基板(100)以及沉积在基板(100)上的栅电极(150)，栅电极(150)上依次沉积有第一绝缘层(200)、高k绝缘层(210)以及第二绝缘层(220)，第二绝缘层(220)上溅射有沟道层(300)，紧贴沟道层(300)对称设有两个源漏电极(350)，且两个源漏电极(350)之间的沟道宽度为20～100μm。