发明名称 | 一种磁控可调频远红外光开关及其实现方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种磁控可调频远红外光开关,所述光开关包括依次设置的铁酸镁基特异材料和介质基底。所述铁酸镁基特异材料由铁酸镁薄膜1与氧化铝薄膜2在x轴方向交替重叠构成一维周期性层状结构。所述铁酸镁薄膜1与氧化铝薄膜2在x轴方向的厚度均小于选定的用以入射所述光开关的电磁波的波长的1/20。所述铁酸镁薄膜1与氧化铝薄膜2在y轴和z轴方向的长度均大于所述波长的10倍。由此可以得到铁酸镁基特异材料。本发明提供的结构可以在外磁场调控下,控制铁酸镁薄膜的磁化率,实现铁酸镁基特异材料从普通非磁性介质到磁性双曲介质的转变,从而控制入射TE偏振波的透射率,实现光开关。 | ||
申请公布号 | CN106405972A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
申请号 | CN201610968264.5 | 申请日期 | 2016.10.28 |
申请人 | 同济大学 | 发明人 | 宋戈;许静平 |
分类号 | G02F1/29(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/29(2006.01)I |
代理机构 | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙) 31290 | 代理人 | 叶凤 |
主权项 | 一种磁控可调频远红外光开关,其特征在于,该光开关包括依次设置的铁酸镁基特异材料和介质基底。 | ||
地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 |