| 发明名称 | 一种量子点发光二极管及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种量子点发光二极管及制备方法，量子点发光二极管从下至上依次包括：基底、底电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和顶电极；或者，量子点发光二极管从下至上依次包括：基底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极；其中，所述电子传输层的材料为无定型氧化物半导体。本发明通过采用无定型氧化物半导体来代替常规有机材料作为电子传输层，达到有效降低电子传输层的电子亲和势且不显著改变电子传输层材料性质的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN106410055A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610974908.1 | 申请日期 | 2016.11.07 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 陈崧;钱磊;杨一行;曹蔚然;向超宇 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种量子点发光二极管，其特征在于，从下至上依次包括：基底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极；或者，从下至上依次包括：基底、底电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和顶电极；其中，所述电子传输层的材料为无定型氧化物半导体。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||