发明名称 METHOD FOR CHAMFERING WAFER
摘要 종래의 웨이퍼의 면취 가공에서는, 웨이퍼 일주(一周)의 면취 형상(단면 형상)이 균일하지만, 웨이퍼 제조의 면취 공정 처리에서는 균일한 면취 형상이 원주 위치마다 변화해 버리기 때문에, 웨이퍼 제조의 면취 공정 처리에서의 변형을 고려한 웨이퍼 면취 가공방법을 제공함을 과제로 한다. 홈 없는 지석을 웨이퍼의 엣지(주단부(周端部))에 접촉시켜 웨이퍼를 면취하는 면취 가공방법으로서, 상기 웨이퍼와 지석을 Z축 및 Y축 방향으로 상대적으로 이동시켜 웨이퍼 전체둘레에서 동일한 단면 형상을 형성하는 이동 궤적을 기준으로 하여, 웨이퍼 회전각도위치에 따라 Z축 또는 Y축 중 적어도 1축 방향으로 웨이퍼와 지석의 상대적 위치를 상기 기준 궤적 위치로부터 변동시켜 가공하는 동작을 위해, 압전 액츄에이터를 사용하여, 웨이퍼의 회전각도위치에 따라 상이한 단면 형상을 형성함을 특징으로 하는 것이다.
申请公布号 KR101707252(B1) 申请公布日期 2017.02.15
申请号 KR20117023886 申请日期 2010.03.30
申请人 다이토 일렉트론 가부시키가이샤;신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 发明人 이시마사 유키오;가타야마 이치로;가토 다다히로;오니시 구니아키
分类号 B24B9/00;B24B1/00;B24B17/04;H01L21/304 主分类号 B24B9/00
代理机构 代理人
主权项
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