发明名称 |
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用 |
摘要 |
一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料,由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为:Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>(PZT)或0.7Pb(Mn<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)O<sub>3</sub>‑0.3PbTiO<sub>3</sub>(PMN‑PT);Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是:Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材,压电体厚度为0.4‑0.8mm。 |
申请公布号 |
CN104167488B |
申请公布日期 |
2017.02.15 |
申请号 |
CN201410072124.0 |
申请日期 |
2014.02.28 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
王敦辉;龚元元;都有为 |
分类号 |
H01L43/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/10(2006.01)I |
代理机构 |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 |
代理人 |
陈建和 |
主权项 |
一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料的应用,其特征是由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成;压电材料为:Pb(Zr,Ti)O<sub>3</sub>即PZT或0.7Pb(Mn<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)O<sub>3</sub>‑0.3PbTiO<sub>3</sub>即PMN‑PT ;Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是:Ni‑Co‑Mn‑In, Ni‑Mn‑In, Ni‑Mn‑Sn, Ni‑Mn‑Co‑Sn;二种材料均是片状材料贴合成复合材料,铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2 mm,压电体厚度为0.4‑0.8mm; 通过向PZT或PMN‑PT加不同的电压,电压范围:0.01‑400V,Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的相变温度发生了变化,变化范围达到8 K;通过向压电体加不同的电压,Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的磁卡效应在升温与降温过程都发生了随温度轴的横移,横移量:2‑8 K,磁热效应:绝热温变为5‑6.5 K。 |
地址 |
211164 江苏省南京市江宁区谷里街道牛首大道69号 |