干蚀刻方法

摘要

本发明的干蚀刻方法的特征在于，其在形成于基板上的、具有硅层和绝缘层层叠而成的层状结构的层叠膜中，对于出现于在与基板面垂直的方向上形成的孔或槽的内侧面的硅层，使用蚀刻气体进行蚀刻时，作为蚀刻气体，使用含有选自ClF₃、BrF₅、BrF₃、IF₇、IF₅中的至少一种气体和F₂的气体。由此，能够抑制硅层的干蚀刻深度的不均匀化。

主权项

一种干蚀刻方法，其特征在于，其为在形成于基板上的、具有硅层和绝缘层多层层叠而成的层状结构的层叠膜中，对于出现于在与基板面垂直的方向上形成的孔或槽的内侧面的多层硅层，使用蚀刻气体在与所述基板面平行的方向上进行蚀刻的干蚀刻方法，作为蚀刻气体，使用含有选自ClF₃、BrF₅、BrF₃、IF₇、IF₅中的至少一种气体和F₂的气体，对硅层的蚀刻深度为5nm以上且90nm以下，出现于同一孔或槽的内侧面的多层所述硅层各层的、与所述基板面平行的方向的蚀刻深度t的平均值tA和标准偏差σ之比σ/tA为20％以内。