| 发明名称 | 仅空穴有机半导体二极管器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种仅空穴有机半导体二极管器件，包含阳极，阴极，和有机层，所述阳极和阴极为金属、无机物或有机化合物；所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；所述电子阻挡层，空穴传输层和/或空穴注入层中含有式(I)所述的化合物。器件实验表明，本发明仅空穴有机半导体二极管器件，其空穴传输性能好，电流效率高且稳定，器件寿命长。<img file="DDA0001142265970000011.GIF" wi="790" he="815" /> | ||
| 申请公布号 | CN106410054A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610954270.5 | 申请日期 | 2016.11.03 |
| 申请人 | 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 | 发明人 | 鲁锦鸿;陈金鑫;李哲;戴雷;蔡丽菲 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京兆君联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11333 | 代理人 | 胡敬红 |
| 主权项 | 一种仅空穴有机半导体二极管器件，包含阳极，阴极，和有机层，所述阳极和阴极为金属、无机物或有机化合物；所述有机层为空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层；所述电子阻挡层，空穴传输层和/或空穴注入层中含有式(I)所述的化合物，<img file="FDA0001142265940000011.GIF" wi="758" he="775" />其中，R1‑R2独立地表示为氢、C1‑C8取代或未取代的烷基、C2‑C8取代或者未取代的烯烷基、C2‑C8取代或者未取代的炔烷基、或取代或者未取代C6‑C10的芳香基，其中取代基为C1‑C4的烷基或卤素。 | ||
| 地址 | 528300 广东省佛山市顺德区大良街道五沙社区新辉路8号 | ||