| 发明名称 | FINFET栅极氧化物的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体鳍、衬里氧化物层、氮化硅基层和栅极氧化物层。半导体鳍具有顶面、与顶面邻近的第一侧表面、以及设置在第一侧表面下方并与第一侧表面邻近的第二侧表面。衬里氧化物层在周围围绕半导体鳍的第二侧表面。氮化硅基层设置为与衬里氧化物层共形。栅极氧化物层设置为与顶面和第一侧表面共形。本发明还提供了FINFET栅极氧化物的形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106409885A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201610555289.2 | 申请日期 | 2016.07.14 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 吴政达;张简旭珂;孙钟仁;陈明德;王廷君;程俊杰 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体鳍，具有顶面、与所述顶面邻近的第一侧表面、以及设置在所述第一侧表面下方并与所述第一侧表面邻近的第二侧表面；衬里氧化物层，在周围围绕所述第二侧表面；氮化硅基层，设置为与所述衬里氧化物层共形；以及栅极氧化物层，设置为与所述顶面和所述第一侧表面共形。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||