一种功率半导体器件终端结构

摘要

本发明公开一种功率半导体器件终端结构，包括多个场限环和与所述场限环横向连接的第一pn结延展区，所述第一pn结延展区与所述场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述场限环的掺杂浓度。所述功率半导体器件终端结构，通过设置与场限环横向连接的第一pn结延展区，延伸了场限环外边缘区域的pn结曲面，使各场限环都形成类似于JTE的结构，从而弱化场限环外边缘电场，实现提升整个终端结构的击穿电压，降低器件反向漏电流的目的。

主权项

一种功率半导体器件终端结构，其特征在于，包括多个场限环和与所述场限环横向连接的第一pn结延展区，所述第一pn结延展区与所述场限环的掺杂类型相同，且掺杂浓度低于所述场限环的的掺杂浓度。