| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供基底以及位于基底表面的第一介质层；形成贯穿第一介质层的开口；形成填充满开口的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的第二金属层；在第二金属层顶部表面和侧壁表面形成第一石墨烯层；在第一介质层顶部表面、以及第一石墨烯层顶部表面和侧壁表面形成第二介质层；研磨去除高于第二金属层顶部表面的第一石墨烯层以及第二介质层，直至暴露出第二金属层顶部表面；在暴露出的第二金属层顶部表面形成第二石墨烯层。本发明降低了半导体结构的电阻，改善了半导体结构的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106409755A | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201510465541.6 | 申请日期 | 2015.07.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 张海洋;张城龙 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底以及位于基底表面的第一介质层；图形化所述第一介质层，形成贯穿所述第一介质层的开口；形成填充满所述开口的第一金属层、以及位于第一金属层顶部表面的第二金属层，且所述第二金属层覆盖第一介质层部分顶部表面；在所述第二金属层顶部表面和侧壁表面形成第一石墨烯层；在所述第一介质层顶部表面、以及第一石墨烯层顶部表面和侧壁表面形成第二介质层；研磨去除高于第二金属层顶部表面的第一石墨烯层以及第二介质层，直至暴露出第二金属层顶部表面；在所述暴露出的第二金属层顶部表面形成第二石墨烯层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||